该课题主要是针对一套现有的外国进口EAS电子防盗产品的发射机部分进行电路分析，对其中信号的产生和转换，低通滤波，信号的调制，功率的放大，以及信号通过天线发送出去进行研究，以及对发射天线进行理论上的设计研究。对其中的所用到的芯片进行分析。

方案一声磁电子防盗系统由于信号的频率太小了，很容易受到干扰，方案二电磁防盗系统很容易误报，或者漏报，都不是最佳的方案，而方案三，首先射频电子方盗系统价格较低，安装使用方便，其次射频电子防盗系统可以通过增大发射功率，调整参数，改进程序，校对中心频率等手段，解决抗干扰能力和灵敏度问题，防止误报、漏报的发生。所以我采用方案三射频电子防盗系统。

乙类互补推挽功率放大器交叉畸变的改善

为改善2.5.1中的交叉畸变，Q1、Q2采取顺偏置在无信号状态下有小电流流通的方法。此时流通的电流成为空载电流。其电路图如图2.12所示。

在图3.11中省略了偏置电流供给部分，但二极管CR1、CR2一有电流流通则产生相当一个二极管VF的正向电压，由于与晶体管的VBE几乎相等，大致可作为理想的乙类放大器。

图3.11的这种结构，根据周围温度的变化，可使集电极电流的变化较小。用电阻代替二极管将Q1、Q2偏置上四，根据周期温度VBE相对1℃因有-2.6mV变化，如提高温度则VBE数值变小，但流经电阻的电流几乎不变，因而，流经Q1、Q2的电流则增加。

另一方面，当加入二极管时，其正向闲雅VF的温度系数与VBE一样为-2.6mV/℃，即便温度变化偏置条件保持一定。即可进行温度补偿。就是说，利用这种方法不仅可改善交叉畸变，也能改善温度特性。

调制部分

发射机使用变容二极管进行调频。将变容二极管与振荡电路组合起来就可以简单的实现调频。当变容二极管处于没有电流流通的状态，即外加反向电压时，它发挥电容的作用。这种能根据施加的电压而改变其静电容量的二极管称为变容二极管。目前大部分发射电路的调制部分都采用电容二极管调制的方法，因此对边容二极管的性质做了学习研究

变容二极管的性质

对PN结型二极管施加反向电压时，空穴和电子均会远离结合部分形成耗尽层。耗尽层的厚度根据施加的反向电压而变化，恰如通过改变电容器的极板间距来改变静电容量。逆偏压的二极管，其耗尽层电容越与逆偏压的大小成比例地扩大，逆偏压越大，耗尽层电容越小。若将调制信号叠加在逆偏压上，则可用调制信号改变电容。所以它被应用于调频或电视的电子调谐器之中。

利用电容二极管的特性，将信号波的振幅变化转变成振荡频率的变化。图3.7是利用变容二极管进行调频的原理使用LC电路的频率进行振荡，其频率用......